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Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Schottky Barrier Diode
RB425D
?Applications
?Dimensions (Unit : mm)
?Land size figure (Unit : mm)
Low power rectification
?Features
1) Small mold type. (SMD3)
2) Low IR
3) High reliability.
?Construction
Silicon epitaxial planer
?Structure
?Taping specifications (Unit : mm)
?Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Symbol UnitLimits
VRM
V
VR
V
Io mA100
IFSM
A
Tj °C125
Tstg °C?40 to ?125
?Electrical characteristics (Ta=25°C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
VF1
- - 0.55 V IF=100mA
VF2
- - 0.34 V IF=10mA
Reverse current
IR1
--30μAVR=10V
Capacitance between terminals Ct1 - 6 - pF
VR=10V , f=1MHz
Parameter
Forward voltage
Conditions
Storage temperature
(*1) Rating of per diode：Io/2
Forward current surge peak (60Hz?1cyc) (*1)
1
Junction temperature
Reverse voltage (DC)
40
Average rectified forward current (*1)
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
40
SMD3
1.0MIN.
0.8MIN.
2.4
0.95
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